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SiLM27511H

单通（tōng）道 20V, 4A/5A 高（gāo）欠压保护低边门极驱动器

样片申请（qǐng）

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产品概述

产品（pǐn）特（tè）性

安规认证

典型应用图

产品概（gài）述

SiLM27511H系列是单（dān）通（tōng）道高欠压保护低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27511H 采用一（yī）种能够从（cóng）内（nèi）部极（jí）大的（de）降低直通（tōng）电流的设计，将高（gāo）峰值的源电流和（hé）灌电流脉冲提供给电容负载，以实现轨到轨的驱动能（néng）力和典型值仅为 18ns 的极小传播（bō）延迟。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电（diàn）情况下，能够（gòu）提供 4A 的峰值（zhí）源电流（liú）和 5A 的峰值灌（guàn）电流。SiLM27511H 欠压锁定（dìng）保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性

低成本的门（mén）极驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案

4A的峰值源电流和 5A 的峰值灌（guàn）电流能力

快速的（de）传播延时（shí）（典型值为 18ns）

快速的上升和下（xià）降时（shí）间（典（diǎn）型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范围

SiLM27511H 欠压锁定保（bǎo）护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容（róng） TTL 和 CMOS 的输（shū）入逻辑电（diàn）压阈值

双输入设（shè）计(可（kě）选择反相或（huò）非反相驱动配置)

输（shū）入浮空（kōng）时输出保持为低

工作温度范围为 -40°C 到（dào） 140°C